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题  目：面向电子器件的石墨烯控制生长
报告人：魏大程 研究员，复旦大学高分子科学系，青年千人计划获得者
时  间：4月29日（周二）上午10:00
地  点：化学A楼演讲厅
邀请人：朱新远教授(购彩大厅 )

报告简介：

    石墨烯作为一种完美的二维晶体，因其独特的结构和物性、丰富的科学内涵及广阔的应用前景引起了科学界的广泛关注。2010年诺贝尔物理学奖授予了K. S. Novoselov和A. K. Geim以表彰他们在石墨烯发现中的巨大贡献。世界各国的科学家都对石墨烯这类新材料寄予厚望，然而石墨烯在电子学中的应用尚有一些基本科学问题亟待解决。其中，高质量、大面积石墨烯的控制生长是目前迫切需要优先研究的关键科学问题。它是其他研究和应用开发的前提和基础，也是限制石墨烯在电子器件应用中的瓶颈。针对目前石墨烯生长工艺中存在的问题，我们开发了一系列石墨烯控制生长的新技术，实现了石墨烯形貌、组成、边缘、衬底、纳米异质结构等的有效控制，从而为制备高性能、特殊功能的石墨烯电子器件开辟了新途径。

报告人简介：

    魏大程，男，2003年获得浙江大学高分子系学士学位，2009年获得中国科学院化学研究所博士学位。同年，获得李光耀学者加入新加坡国立大学物理系工作，作为Principal Investigator主持了“Controlled Synthesis, Integration and Device Fabrication of Carbon Nanomaterials”(R-144-000-263-112)项目的研究。2014年初加入复旦大学高分子科学系任研究员，担任课题组长。先后获得中国科学院院长奖、中国科学院优秀博士学位论文、新加坡Lee Kuan Yew Post Doctoral Fellowship Award、中组部“青年千人计划”等奖励。近年来主要研究领域为低维材料的可控制备、性能及其在电子器件中的应用。目前为止，作为第一作者和通讯作者在Nat. Commun., Acc. Chem. Res., Angew. Chem., Nano Lett., J. Am. Chem. Soc., Adv. Mater.上发表论文十余篇，在其他期刊上发表第一作者和合作论文三十余篇。论文他引1500余次。有多篇论文被选择作为杂志封面发表，并且被众多科学媒体进行追踪报道。此外，获得授权中国专利6项，美国专利3项，参与撰写专著《分子科学前沿》（科学出版社，2007）。